Η Samsung Electronics Co., Ltd. ανακοίνωσε σήμερα την επίσημη έναρξη της μαζικής παραγωγής της 9ης γενιάς V-NAND τετραπλής κυψέλης (QLC) με χωρητικότητα ενός terabit (Tb). Η νέα αυτή παραγωγή ακολουθεί την πρώτη μαζική παραγωγή τριπλής επιπέδου κυψελών (TLC) 9ης γενιάς V-NAND που πραγματοποιήθηκε τον Απρίλιο του 2024, επιβεβαιώνοντας τη θέση της Samsung ως ηγέτη στην αγορά των υψηλής χωρητικότητας και αποδόσεων NAND flash memories.
Ο SungHoi Hur, Εκτελεστικός Αντιπρόεδρος και Επικεφαλής του Τμήματος Flash Product & Technology στη Samsung Electronics, δήλωσε: «Η έναρξη της μαζικής παραγωγής του QLC 9ης γενιάς V-NAND μόλις τέσσερις μήνες μετά την έκδοση TLC μας επιτρέπει να προσφέρουμε μια πλήρη σειρά προηγμένων λύσεων SSD που καλύπτουν τις ανάγκες της εποχής της Τεχνητής Νοημοσύνης.»
Η Samsung προγραμματίζει την επέκταση των εφαρμογών της QLC 9ης γενιάς V-NAND, ξεκινώντας με επώνυμα καταναλωτικά προϊόντα και συνεχίζοντας με φορητούς Universal Flash Storage (UFS), υπολογιστές και SSD διακομιστών για πελάτες, περιλαμβάνοντας και τους παρόχους υπηρεσιών cloud.
Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung φέρνει μια σειρά από καινοτομίες που οδηγούν σε σημαντικές τεχνολογικές προόδους:
- Channel Hole Etching: Χρησιμοποιείται για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού στρωμάτων στον κλάδο με δομή διπλής στοίβας. Με τη βελτιστοποίηση της περιοχής κυψελών και των περιφερειακών κυκλωμάτων, επιτυγχάνεται κορυφαία πυκνότητα bit, περίπου 86% υψηλότερη από αυτή της TLC 9ης γενιάς V-NAND.
- Designed Mold: Προσαρμόζει την απόσταση των Word Lines (WL) για να διασφαλίσει την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών σε όλα τα επίπεδα. Αυτή η τεχνολογία έχει βελτιώσει την απόδοση διατήρησης δεδομένων κατά περίπου 20% σε σύγκριση με προηγούμενες γενιές, αυξάνοντας την αξιοπιστία του προϊόντος.
- Predictive Program: Προβλέπει και ελέγχει τις αλλαγές κατάστασης κυψέλης για να ελαχιστοποιήσει τις περιττές ενέργειες. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND έχει διπλασιάσει την απόδοση εγγραφής και βελτίωσε την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου των δεδομένων κατά 60%.
- Low-Power Design: Μειώνει την κατανάλωση ενέργειας για την ανάγνωση και εγγραφή δεδομένων περίπου κατά 30% και 50% αντίστοιχα, με τη μείωση της τάσης που οδηγεί τις NAND κυψέλες και την ελαχιστοποίηση της κατανάλωσης ενέργειας ανιχνεύοντας μόνο τις απαραίτητες γραμμές bit (BL).
